IRF3710
Версия для печати
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF3710S | 1280 | 76.12 руб. | |
Технические характеристики IRF3710
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 28A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 57A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3130pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRF3710Z Дискретные сигналы HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3710ZL, IRF3710ZS
Производитель:
|
||
