IRF3205Z
Версия для печати
Hexfet power mosfets discrete n-channelНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF3205Z | 800 | 73.44 руб. | |
Технические характеристики IRF3205Z
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 66A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V |
| Power - Max | 170W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF3205Z Дискретные сигналы HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3205ZL, IRF3205ZS
Производитель:
|
||
