IRF2807S

Транзистор полевой N-канальный MOSFET

Наименование
Кол-во
Цена
IRF2807S 39 232.32

Технические характеристики IRF2807S

Параметр
Значение
Корпус D2PAK
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа Поверхностный
Power - Max 230W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3820pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 82A
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 43A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant

Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru