FQPF3N80C
Версия для печати
800v n-channel mosfetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| FQPF3N80C (ONS) | 427 | 164.06 руб. | |
Технические характеристики FQPF3N80C
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 705pF @ 25V |
| Power - Max | 39W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220F |
| Product Change Notification | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
|
FQP3N80C 800V N-Channel MOSFET Также в этом файле: FQPF3N80C
Производитель:
|
||
