FQPF10N60C

Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)

Наименование
Кол-во
Цена
FQPF10N60C (ONS) 182 304.51

Технические характеристики FQPF10N60C

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730 mOhm @ 4.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 9.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2040pF @ 25V
Power - Max 50W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Корпус TO-220F


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru