FDN360P
Версия для печати
MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2АНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| FDN360P | 9600 | 4.87 руб. | |
Описание FDN360P
Напряжение сто-исток 30В
Ток 2а(10А имп.)
Мощность 0.5Вт
Диапазон температур -55 ... 1500оС
Технические характеристики FDN360P
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 298pF @ 15V |
| Power - Max | 460mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
|
MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А
|
||
