CSD23201W10
Версия для печати
P-channel ciclon nexfet power mosfetsНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| CSD23201W10 (TEXAS INSTRUMENTS) | 1 | 36.00 руб. | |
Технические характеристики CSD23201W10
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | NexFET™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 325pF @ 6V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-DSBGA |
| Корпус | 4-DSBGA |
|
CSD23201W10 MOSFET P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs
Производитель:
|
||
