BSN20
N-channel enhancement mode field-effect transistorНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| BSN20 | 6800 | 2.04 |
Технические характеристики BSN20
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 100mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 173mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru