BS170
Версия для печати
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830ВтНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| BS170 (ONS) | 2256 | 29.39 руб. | |
Описание BS170
Транзистор N-канальный полевой
Напряжение сток -исток 60В
Ток стока 500 (1200 имп.) мА
Мощность до 830Вт
Диапазон температур - 55 ... 150оС
Корпус ТО - 92
Технические характеристики BS170
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 500mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
| Product Change Notification | LTB Notification 08/Jan/2008 |
|
BS170P N-канальные транзисторные модули N-channel Enhancement Mode Vertical Dmos Fet
Производитель:
|
||
