2SJ516
Версия для печати
Биполярный транзисторНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2SJ516 (TOSHIBA) | 8 | 1 058.76 руб. | |
Технические характеристики 2SJ516
| Корпус | TO-220NIS |
| Корпус (размер) | 2-10R1B |
| Power - Max | 35W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1120pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 3A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
2SJ516 Универсальные биполярные PNP транзисторы P Channep Mos Type (high Speed, High Current Switching, Chopper Regulator, Dc-dc Converter and Motor Drive Applications)
Производитель:
|
||
