2SJ162
Версия для печати
Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2SJ162 (RENESAS) | 43 | 855.45 руб. | |
Технические характеристики 2SJ162
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (размер) | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power - Max | 100W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 160V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
|
2SJ16x Полевые МОП транзисторы Silicon P-channel Mos Fet Также в этом файле: 2SJ162
Производитель:
|
||
