IXFN110N60P3
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| IXFN110N60P3 (IXYS) | 1518 | 10 000.29 |
Описание IXFN110N60P3
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227Технические характеристики IXFN110N60P3
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | Polar3™ HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 55A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 90A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 245nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 18000pF @ 25V |
| Power - Max | 1500W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-227-4 |
| Корпус | SOT-227B |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru