IXFN110N60P3
Версия для печатиНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IXFN110N60P3 (IXYS) | 1518 | 10 000.29 руб. | |
Описание IXFN110N60P3
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227Технические характеристики IXFN110N60P3
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | Polar3™ HiPerFET™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 55A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 90A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 245nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 18000pF @ 25V |
Power - Max | 1500W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | SOT-227-4 |
Корпус | SOT-227B |