ILD217T

Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс CTR >100% SO8

Наименование
Кол-во
Цена
ILD217T (FULIHAO TECH) 1440 89.74

Технические характеристики ILD217T

Параметр
Значение
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип выхода Transistor
Тип монтажа Поверхностный
Vce Saturation (Max) 400mV
Напряжение выходное 70V
Current Transfer Ratio (Min) 100% @ 1mA
Тип входа DC
Voltage - Isolation 4000Vrms
Количество каналов 2
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Output Type Transistor

Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru