LF353DR
Версия для печатиНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
LF353DR | 2568 | 17.16 руб. | |
Технические характеристики LF353DR
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±3.5 V ~ 18 V |
Ток выходной | 3.6mA |
Напряжение входного смещения | 5000µV |
Ток - входного смещения | 50pA |
Полоса пропускания | 3MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 13 V/µs |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | J-FET |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |