ADR421BRZ
ИОН на 2.500В SOIC8Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| ADR421BRZ (ANALOG DEVICES) | 2 | 916.82 |
Технические характеристики ADR421BRZ
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Ток выходной | 10mA |
| Ток в рабочей точке(ВАХ) | 500µA |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение входное | 4.5 V ~ 18 V |
| Температурный коэфициент | 3ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±0.04% |
| Напряжение выходное | 2.5V |
| Reference Type | Series, Precision |
| Серия | XFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Tolerance | ±0.04% |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru