TIP147T

Версия для печати Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А

Наименование
Кол-во
Цена
 
TIP147T (ST MICROELECTRONICS) 76 200.74 руб. 

Описание TIP147T

Силовой биполярный транзистор структуры PNP. Транзистор изготовлен на основе кремния (Si), выпускается в корпусе TO-220, и при больших токах устанавливается на теплоотвод. Составной транзистор TIP147TU имеет высокий коэффициент усиления по току 500, напряжение между коллектором и эмиттером составляет 100V, здесь же встроен защитный диод, максимальный постоянный ток коллектора составляет 10A, а минимальный коллекторный ток утечки 1000uA. Сфера применения: бытовая, специальная, и промышленная электроника.
Особенности:
Тип: Дарлингтон;
Полярность: PNP;
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер: 100V;
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100V
Постоянный ток коллектора транзистора: 10A;
Напряжение эмиттер-база: 5V;
Максимальный ток утечки коллектора: 1000uA;
Встроен параллельно между коллектором и эмиттером защитный диод;
Коэффициент усиление по току: 500;
Рабочий диапазон температур: от – 65°C до + 150°C;
Корпус: TO-220
Полярность PNP
Вид монтажа Сквозное отверстие
RoHS Соответствует

Технические характеристики TIP147T

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 4V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-3P-3, SC-65-3
Корпус TO-3P
Product Change Notification Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007


Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А

tip147t.pdf
52,17kB
4стр.