STP4NK80Z
Версия для печати
Полевой транзисторНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| STP4NK80Z (ST MICROELECTRONICS) | 1 | 307.01 руб. | |
Технические характеристики STP4NK80Z
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SuperMESH™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 575pF @ 25V |
| Power - Max | 80W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
STP4NK80Z MOSFET N-channel 800V - 3? - 3A - TO-220 Zener - Protected SuperMESH™ MOSFET
Производитель:
|
||
