IRFR120N
Версия для печати
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, P=48W, -55 to +175C)Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRFR120N | 2000 | 17.14 руб. | |
Технические характеристики IRFR120N
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Power - Max | 48W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRFR120N HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
||
