2SK1119
Версия для печати
Транзистор NFET 100В 4A TO220Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2SK1119 (TOSHIBA) | 7 | 482 515.09 руб. | |
Технические характеристики 2SK1119
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Power - Max | 100W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220AB |
| Корпус | TO-220AB |
