SGW25N120

Версия для печати Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
SGW25N120 (INFINEON) 16 1 757.67 руб. 

Технические характеристики SGW25N120

Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 25A
Current - Collector (Ic) (Max) 46A
Power - Max 313W
Тип входа Standard
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус PG-TO247-3
SGW25N120
IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Fast IGBT In Npt-technology

Производитель:
Infineon Technologies AG
http://www.infineon.com

sgw25n120.pdf
384.78Kb
11стр.