IRGP50B60PD1
Версия для печати
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГцНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRGP50B60PD1 | 1 | 549.12 руб. | |
Описание IRGP50B60PD1
Структура N-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.6
Управляющее напряжение,В 5.5
Мощность макс.,Вт 390
Максимальная частота переключения, кГц 150
Температурный диапазон,С -55…150
Корпус Super247
Технические характеристики IRGP50B60PD1
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| IGBT Type | NPT |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 50A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Power - Max | 390W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247AD |
| Корпус | TO-247AD |
|
IRGP50B60PD1 Smps IGBT
Производитель:
|
||
