IRG4PSH71K
Версия для печати
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 78АНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRG4PSH71K | 2 | 760.32 руб. | |
Технические характеристики IRG4PSH71K
| Power - Max | 350W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 78A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 42A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-274AA |
| Корпус | SUPER-247 (TO-274AA) |
|
IRG4PSH71KD IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
Производитель:
|
||
