L6386ED
Версия для печати
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 400 мА: Iout-: 650 мА: Опции: Вход сброса, Флаг защитыНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| L6386ED (ST MICROELECTRONICS) | 20 | 195.84 руб. | |
Технические характеристики L6386ED
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | High and Low Side, Independent |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Время задержки | 110ns |
| Ток пиковое значение | 400mA |
| Число конфигураций | 1 |
| Число выходов | 2 |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
| Напряжение питания | 17V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 14-SO |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 600 В: Iout+: 400 мА: Iout-: 650 мА: Опции: Вход сброса, Флаг защиты
|
||
