MURS360BT3G


Наименование
Кол-во
Цена
MURS360BT3G (ON SEMICONDUCTOR) 88 24.00

Технические характеристики MURS360BT3G

Параметр
Значение
Current - Reverse Leakage @ Vr 3µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io) 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 3A
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Diode Type Standard
Скорость Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) DO-214AA, SMB
Корпус SMB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корп.7 º (495) 925-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (4732) 695-140
www.kontest.ru